Soluzione per rettificatrice di superficia doppia faccia di placca di carburu di siliciu-YHDM580
Piastra di Carbide di Siliziu Rettificatrice a doppia superficie Vergogna à tè
Modellu di a macchina: YHDM580B Doppiu Disk Grinder - Metudu di macinazione in ciclu
U travagliu: Piastra di Carbure di Siliciu (SiC)
Esigenza: 7.150 ± 0.002 mm, Planitudine/Parallelismu < 0.01 mm, Rugosità Ra< 0.9

Silicon Carbide (SiC) hè un materiale inorganicu chì hà proprietà meccaniche, termiche, elettriche è chimiche, per via di quale hè largamente utilizatu in l'industrii sviluppati. Tuttavia, e proprietà benefiche di a ceramica SiC, cum'è l'alta durezza, l'alta resistenza, a resistenza à l'usura, a fragilità estrema è a stabilità chimica, facenu a machinazione SiC difficili è costosa per mezu di metudi di machinazione cunvinziunali è micca cunvinziunali. A mola di diamante produce un MRR elevatu chì ùn affetta micca a morfologia di a superficia è a finitura. Durante u rendiment di macinazione di SiC, e proprietà di u materiale di a rota è di a pezza sò un fattore impurtante per predichendu a rugosità di a superficia. In a machina di macinazione di cuntrollu numericu computerizata utilizendu strumenti di diamanti di ligame metallicu hà creatu u dannu indottu bassu. L'eterogeneità microstrutturale aumenta significativamente i tassi di perforazione è di macinazione di SiC. L'aumentu di a tenacità di frattura dinamica hà risultatu in un altu MRR di SiC chì hà una finitura di a superficia megliu hè stata ottenuta in un prucessu di macinazione à alta velocità. A cumminazzioni di alta velocità di pezza è a velocità di a mola elevata pò riduce a trasfurmazioni di fase osservata durante u prucessu di macinazione cilindrica à alta velocità.

EN
VI
TH
KO
ID
TR
JA
